巨磁阻效应是指在外部磁场的作用下，某些材料的电阻会发生显著变化。该效应主要发生在由不同磁性薄膜交替层叠而成的结构中。当外部磁场变化时，薄膜之间的磁化方向也随之改变，从而导致电阻的变化。这种特性使得GMR传感器能够精确检测微小的磁场变化。
1.传感器结构
GMR传感器的基本结构通常包括以下几部分：
-磁性薄膜层：由不同材料（如铁、钴等）交替构成，形成多层结构以增强GMR效应。
-电极：用于连接外部电路，传输电流。
-绝缘层：防止电流短路，确保传感器的稳定性。
2.关键技术
-材料选择：高性能的GMR传感器往往采用特定的材料组合，如铁镍合金、镍钴合金等，以提高敏感度和稳定性。
-微加工技术：通过微电子机械系统（MEMS）技术，制造出更小巧、集成度更高的传感器，提高了GMR传感器的应用灵活性。
-信号处理技术：结合先进的信号处理算法，增强传感器对微弱信号的检测能力，提升其在复杂环境中的表现。
